CGXW-LV系列位移传感器1、用途及特点差动变压器式（LVDT）位移传感器具有良好的环境适应性、使用寿命长、灵敏度和分辨率高的特点。使用时只要把LVDT的壳体夹固在参照物上，其测杆顶（或夹固）在被测点上，就可以直接测量物体间的相对变位。广泛用于测量预先被变成位移的各种物理量。把LVDT的电测线路采用微电子技术全部封装入LVDT的壳体内。输入电压±9V～±15V，输出信号±5V或0～5V或0～10V或4～20mA的信号，可与四位半数显表配合使用，该仪器便于携带和在无交流电源的环境中使用。DC－LVDT具有较强的抗干扰能力，可在潮湿，大电流或强磁场等恶劣环境下工作，适宜遥测。2、工作原理LVDT位移传感器由同心分布在线圈骨架上一初级线圈P，二个级线圈S1和S2组成，线圈组件内有一个可自由移动的杆装磁芯（铁芯），当铁芯在线圈内移动时，改变了空间的磁场分布，从而改变了初次级线圈之间的互感量M，当初级线圈供给一定频率的交变电压时，次级线圈就产生了感应电动势，随着铁芯的位置不同，次级产生的感应电动势也不同，这样，就将铁芯的位移量变成了电压信号输出。为了提高传感器灵敏度改善线性度，实际工作时是将两个次级线圈反串接，故两个次级线圈电压极性相反，于是，传感器的输出是两个次级线圈电压之差，其电压差值与位移量成线性关系。原理图如下参数名称测量范围(mm)线性度土(%)灵敏度(mV/mm)直流差动变压器外形尺寸(mm)重量(g)高 精 度 直 流 差 动 变 压 器LV一0.5±0.5(0～1)0.0510000140×φ1590LV一1±1(0～2)0.055000140×φ1595LV一2±2(0～4)0.052500140×φ1595LV一5±5(0～10)0.051000190×φ21.4220LV一10±10(0～20)0.05500220×φ21.4240LV一15±15(0～30)0.05、0.1333240×φ21.4260LV一20±20(0～40)0.05、0.1250245×φ21.4270LV —25±25(0～50)0.05、0.1200250×φ21.4280LV— 30±30(0～60)0.1、0.2166255×φ21.4285LV— 35±35(0～70)0.1、0.2143255×φ21.4290LV一50±50(0～100)0.1、0.2100350×φ21.4420LV一75±75(0～150)0.1、0.266370×φ21.4423LV一100±100(0～200)0.1、0.250445×φ21.4450LV一125±125(0～250)0.2、0.340465×φ21.4454LV —150±150(0～300)0.1、0.233.3581×φ21.4611LV一200±200(0～400)0.2、0.325581×φ21.4611LV一250±250(0～500)0.2、0.320830×φ21.4840LV一300±300(0～600)0.2、0.316.6840×φ21.48453、使用注意事项1、传感器测杆应与被测物垂直接触。2、请别让活动的铁芯和测杆受大的侧向力而造成变形弯曲，否则会严重影响测杆的活动灵活性。传感器不可敲打、跌落。3、避免所有引线在焊接处和电缆的夹固处断线。4、夹持传感器壳体时应避免松动，但也不可用力太大、太猛。5、安装传感器时应调节（挪动）传感器的夹持位置，使其位移变化不超出测量范围，既通过观测位移读数，使位移在预定的变化内，信号输出不超出额定范围 。