电容器的主要技术参数标称容量、允许误差、额定电压、绝缘电阻、漏电流、损耗因数及时间常数均为电容器的主要技术参数。1、电容器的标称容量及允许误差的基本含义与电阻器一样。电容的基本单位为F（法拉），即在1V电压下电容器所能储存的电量为1库伦，其容量即为1F。用F作单位在应用中往往太大，所以常用毫法(mF)、微法(µF)、纳法(nF)和皮法(pF)。其关系如下：1F=103mF1mF=103µF1µF=103nF1nF=103pF2、额定电压额定电压通常也称作耐压，是指在允许的环境温度范围内，电容长时间正常工作施加的最大电压有效值。电容的额定电压通常是指直流工作电压。3、绝缘电阻及漏电流 电容介质不可能绝对不导电，当电容加上直流电压时，电容器会有漏电流产生。若漏电流太大，电容器就会发热损坏。除电解电容外，其他电容器的漏电流是极小的，故用绝缘电阻参数来表示其绝缘性能；而电解电容因漏电较大，故用漏电流表示其绝缘性能（与容量成正比）。4、损耗因数 电容的损耗因数指有功损耗与无功损耗功率之比。通常电容在电场作用下，其储存或传递的一部份电能会因介质漏电及极化作用而变为有害的热能，这部分发热消耗的能量就是电容的损耗，显然损耗越大，发热也越严重。四、电容器参数的标志方法电容器的标称容量及允许误差一般标在电容器上，其方法可分为以下几种。1、直标法直标法是将电容器的标称容量及允许误差直接标在电容器上的标志方法。如图2-1，CXJD为型号，2200µF为标称容量，±10%为允许误差，02.5为生产时间。 2、文字符号法 标称容量的整数部分通常写在容量单位标志符号的前面，小数部分写在容量单位标志符号的后面。如3.3µF标为3µ3，2.2pF标为2p2。3、数码表示法电容器的数码表示法与电阻器的相同。但电容器数码表示法中，其单位为pF。如0.1µF标为104。四、电容器的用途 电容器的基本功能是储存电荷，它在电子电气电路中使用十分广泛，主要用用交流耦合、隔离直流、滤波、交流或脉冲旁路及选频等。图6-3所接电容C是常见的滤波电容，下面以图6-2(b)的波形图来说明电容滤波的工作过程。当u在第一个半周的 上升时，电容C开始充电；而u在第一个半周的 下降时，电容C经负载RL放电；在第二个半周时，电容也是经过充电—放电过程，如此电容循环重复进行。其放电曲线如图6-2(b)虚线所示。 从图6-2(b)可以看出，经电容滤波后的输出曲线平滑了许多，在一定负载时，电容量越大时，输出曲线越平滑。常用电容器　　铝电解电容器　　用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成，薄的化氧化膜作介质的电容器.因为氧化膜有单向导电性质,所以电解电容器具有极性.。　　容量大，能耐受大的脉动电流。　　容量误差大，泄漏电流大；普通的不适于在高频和低温下应用,不宜使用在25kHz以上频率。　　低频旁路、信号耦合、电源滤波。　　钽电解电容器　　用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰。　　温度特性、频率特性和可靠性均优于普通电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体积下能得到最大的电容电压乘积。　　对脉动电流的耐受能力差，若损坏易呈短路状态。　　超小型高可靠机件中。　　薄膜电容器　　结构与纸质电容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质。　　频率特性好，介电损耗小。　　不能做成大的容量，耐热能力差。　　滤波器、积分、振荡、定时电路。　　瓷介电容器　　穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺丝。引线电感极小，　　频率特性好，介电损耗小，有温度补偿作用。　　不能做成大的容量，受振动会引起容量变化。　　特别适于高频旁路。　　独石电容器(多层陶瓷电容器)　　在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次绕结成一块不可分割的整体，外面再用树脂包封而成　　小体积、大容量、高可靠和耐高温的新型电容器，高介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能，体积极小，Q值高　　容量误差较大　　噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路　　纸介电容器　　一般是用两条铝箔作为电极，中间以厚度为0.008～0.012mm的电容器纸隔开重叠卷绕而成。　　制造工艺简单，价格便宜，能得到较大的电容量　　一般在低频电路内，通常不能在高于3～4MHz的频率上运用。油浸电容器的耐压比普通纸质电容器高，稳定性也好，适用于高压电路　　微调电容器(半可变电容器)　　电容量可在某一小范围内调整，并可在调整后固定于某个电容值。　　瓷介微调电容器的Q值高，体积也小，通常可分为圆管式及圆片式两种。　　云母和聚苯乙烯介质的通常都采用弹簧式东，结构简单，但稳定性较差。　　线绕瓷介微调电容器是拆铜丝〈外电极〉来变动电容量的，故容量只能变小，不适合在需反复调试的场合使用　　陶瓷电容器　　用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。　　具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。　　低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。　　高频瓷介电容器适用于高频电路　　云母电容器　　就结构而言，可分为箔片式及被银式。被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成，由于消除了空气间隙，温度系数大为下降，电容稳定性也比箔片式高。　　频率特性好，Q值高，温度系数小　　不能做成大的容量　　广泛应用在高频电器中，并可用作标准电容器　　玻璃釉电容器　　由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成"独石"结构　　性能可与云母电容器媲美，能耐受各种气候环境，一般可在200℃或更高温度下工作，额定工作电压可达500V，损耗tgδ0.0005～0.008　　　电容器:电子设备中充当整流器的平滑滤波、电源和退耦、交流信号的旁路、交直流电路的交流耦合等的电子元件称为电容器。电容器包括固定电容器和可变电容器两大类，其中固定电容器又可根据所使用的介质材料分为云母电容器、陶瓷电容器、纸/塑料薄膜电容器、电解电容器和玻璃釉电容器等；可变电容器也可以是玻璃、空气或陶瓷介质结构。