我们注意到目前全球风力和太阳能光伏发电的发展速度相当快，中国也在快步跟上。在中国风电市场，从600KW到1.5MW、2.0MW风机只花了短短的数年时间，目前2.5MW、3.6MW和5MW风机也正在开发中。太阳能光伏发电的应用在中国还处于起步阶段，主要以太阳能电厂为主，采用集中式逆变器并网发电。2012年，随着政策鼓励以及人们节能环保意识提高的推动，相信这两个市场将继续保持飞速发展。

    在未来，从风电来看，提高单机功率是个趋势，尤其离岸和潮汐带的风力资源决定需要大功率风机，以提高资源利用率。这就需要更大电流、更高电压的功率半导体器件，主要是高压大电流的IGBT模块和功率组件Stack。

    由于风电是一种极其不稳定的能源，作为风能的变换和控制关键器件，IGBT模块会承受功率和温度的频繁变化，这会使得IGBT寿命缩短。在IEC60747定义了相关寿命参数，即功率周次和温度周次，这是IGBT模块的重要可靠性指标。

    对于太阳能光伏发电，功率器件的效率更重要，它们也在不断发展中，如构槽栅场终止技术FieldStopIGBT、HighSpeed3IGBT、CoolMOS、碳化硅二极管SiC在高能效的太阳能逆变器有出色的表现。

    对于风电和太阳能，控制器、变流器的寿命，以及平均无故障时间很重要，这是由器件和系统设计决定的，一般的平均设计寿命要求在20年以上。风电和太阳能系统对环境适应性要求高，如极端气温条件、沿海地带、高海拔地区等。当然转换效率也是十分重要的，直接关系到电厂的盈利。

    电动汽车、太阳能、风能等新能源行业要求系统的设计经济、高效、可靠。作为全球功率半导体的领军企业，英飞凌的CoolMOS、OptiMOS、IGBT和碳化硅等功率器件，多年来因其稳定、突出的能效而备受电力电子行业推崇，将迎合上述系统要求而大显身手。

    面对蓬勃发展的中国新能源市场，英飞凌将投入更多的资源为中国新能源市场服务：推出更优秀的产品，例如CoolMOSC7系列和IGBTHighSpeed3系列等;组建更专业高效的本地化服务团队;并开展与国内一流高校和企业的项目合作及技术交流等。

    为了应对中国电动汽车、太阳能、风能等新能源行业的迅猛发展，英飞凌做好了充分的准备，并在以下三个技术领域持续开展创新性的研究：

    一是器件技术的创新。英飞凌HighSpeed3IGBT引领人们对分立IGBT有了新认识，这种技术及其后续研究将对降低IGBT的导通和关断损耗持续进行突破创新，从而使新能源的系统设计更经济、高效。同时，我们正持续改进硅技术，为业界提供新一代CoolMOS和OptiMOS。此外，宽带隙技术也是我们的研发重点，其中的碳化硅材料，已在英飞凌的碳化硅二极管产品上展示出令人鼓舞的效果，即将推出的碳化硅JFET也将进一步开创功率半导体的新纪元。

    二是硅片制造工艺技术的创新。英飞凌的IGBT在70微米的晶圆上制造而成，其厚度仅相当于人类的头发丝，这种工艺技术有效改善了IGBT的导通压降和器件的热特性。英飞凌正在把300毫米直径的晶圆技术应用于分立功率器件，这将显著提升我们的产能以支持目前业界的巨大需求，同时进一步提高我们产品的性价比。

    三是封装技术的创新。先进的封装技术可以进一步支持我们的器件运用于实际应用。英飞凌把CoolMOS装进超薄的“ThinPAK8×8”封装里，这使得我们最新的芯片技术可以在实际应用中更为有效地发挥优势。

    除了技术的创新，英飞凌还针对目标应用提供全面的解决方案。比如，基于对汽车电子的深厚积累，我们针对新能源电动汽车开发了3.6kW车载充电器，效率高达95%，体积只有3.6升，重量不足3.5kg，是目前业界最高效、最高功率密度的解决方案。